La Commissione Europea ha approvato un finanziamento di 2 miliardi di euro in aiuti di Stato a favore di STMicroelectronics (Stm) per sostenere la costruzione e le attività di un nuovo impianto a Catania. Questo impianto sarà dedicato alla produzione di carburo di silicio (Sic) da 200 mm per dispositivi e moduli di potenza, oltre ad attività di test e packaging.
Questa misura contribuirà a rafforzare la sicurezza europea nella fornitura di tecnologie per semiconduttori e la sovranità digitale, in linea con quanto previsto dallo European Chips Act, supportando al contempo la doppia transizione digitale e verde. Il sostegno finanziario di 2 miliardi di euro da parte dello Stato italiano, approvato dall’Ue, fa parte di un investimento complessivo di 5 miliardi di euro per lo stabilimento.
Poco mosso il titolo Stm in Borsa (+0,09%).
L’impegno di Stm
Da parte sua Stm ha accettato di:
- Garantire che il progetto avrà un impatto positivo e ricadute sulla filiera dei semiconduttori della Ue oltre Stm e l’Italia.
- Contribuire allo sviluppo della prossima generazione di tecnologia SiC da 200 mm e a una roadmap tecnologica per i moduli Sic nella Ue.
- Implementare ordini prioritari in caso di carenza di fornitura, in linea con l’European Chips Act.
- Assicurare che il progetto non sarà soggetto a obblighi di servizio pubblico imposti da paesi terzi.
- Sviluppare e offrire corsi di formazione per aumentare il bacino di forza lavoro qualificata.
Dettagli del nuovo impianto Stm
Il nuovo impianto di STMicroelectronics a Catania sarà il primo in Europa per la produzione di carburo di silicio (SiC) da 200 mm per dispositivi e moduli di potenza, e per attività di test e packaging. L’impianto dovrebbe raggiungere la piena capacità operativa nel 2032.
Gli obiettivi per il nuovo impianto includono l’avvio della produzione nel 2026 e il raggiungimento della piena capacità entro il 2033, con una produzione massima di 15.000 wafer a settimana. La sostenibilità è integrata nella progettazione, sviluppo e operazioni del campus, assicurando un uso responsabile delle risorse come acqua ed elettricità. Questo impianto, insieme a un altro per la produzione di substrati in SiC già in costruzione nello stesso sito, formerà il Silicon Carbide Campus di Stm.
Il Silicon Carbide Campus sarà il centro nevralgico dell’ecosistema Sic globale di Stm e integrerà tutte le fasi del processo produttivo: sviluppo di substrati in Sic, processi di crescita epitassiale, fabbricazione front-end di wafer da 200 mm e assemblaggio back-end dei moduli. Inoltre, il campus ospiterà attività di ricerca e sviluppo, progettazione di prodotti, laboratori avanzati per lo sviluppo di die, sistemi e moduli di potenza e capacità complete di packaging.
I commenti
Jean-Marc Chery, presidente e ceo di STMicroelectronics, ha dichiarato: “Le capacità completamente integrate del Silicon Carbide Campus di Catania contribuiranno significativamente alla leadership di ST nella tecnologia SiC per i clienti dei settori automotive e industriale nei prossimi decenni. Le dimensioni di scala e le sinergie offerte da questo progetto ci consentiranno di innovare meglio e di offrire capacità produttive in grandi volumi, a vantaggio dei nostri clienti europei e globali che, nel compiere la transizione verso l’elettrificazione, cercano soluzioni energetiche più efficienti per raggiungere gli obiettivi di decarbonizzazione”.
“I sussidi italiani da 2 miliardi di euro a favore di STMicroelectronics a Catania sostengono un impianto integrato unico per i chip in carburo di silicio, aiutando la transizione digitale e verde dell’Ue e creando posti di lavoro altamente qualificati, limitando al contempo le possibili distorsioni della concorrenza. L’impianto garantirà l’accesso dell’Ue a una fonte affidabile di chip efficienti dal punto di vista energetico, usati nei veicoli elettrici e nelle stazioni di ricarica”, ha aggiunto Margrethe Vestager, vicepresidente della Commissione Ue.