StMicroelectronics, azienda italo-francese produttrice di componenti elettronici a semiconduttore, ha siglato un accordo con Sanan Optoelectronics, azienda cinese specializzata in semiconduttori compositi. L’obiettivo di questa collaborazione è la creazione di una joint venture manifatturiera a Chongqing, Cina, che si concentrerà sulla produzione di dispositivi al carburo di silicio (SiC) con un diametro di 200 mm. L’obiettivo principale di questa iniziativa è rispondere alla crescente domanda cinese di dispositivi SiC utilizzati nell’elettrificazione dei veicoli e in applicazioni industriali per l’energia e la potenza.
Stm: i tempi di produzione del nuovo impianto
Si prevede che la produzione nell’impianto di SiC appena costruito inizierà negli ultimi mesi del 2025, mentre il completamento della fabbricazione è previsto per il 2028. In aggiunta a ciò, Sanan creerà e gestirà un impianto separato per la produzione di substrati in SiC, che servirà le necessità della joint venture. Tale impianto utilizzerà il proprio processo di produzione di substrati SiC.
Il budget
La joint venture si occuperà esclusivamente della produzione di dispositivi SiC per conto di StMicroelectronics, facendo uso della tecnologia di processo manifatturiero di loro proprietà e realizzerà ugualmente una foundry dedicata a StMicroelectronics, al fine di soddisfare la domanda dei clienti cinesi dell’azienda. Si prevede che l’intera realizzazione della joint venture richiederà un investimento totale di circa 3,2 miliardi di dollari. Tale cifra comprende spese in conto capitale per circa 2,4 miliardi di dollari, che verranno coperte da contributi finanziari da parte di STMicroelectronics e Sanan nel corso dei prossimi cinque anni, con il supporto del governo locale e prestiti destinati alla joint venture.
