Stmicroelectronics in rialzo a Piazza Affari dopo l’accordo con la cinese Innoscience per lo sviluppo e la produzione di tecnologia GaN. A metà mattinata il titolo guadagna lo 0,98% a 20,185 euro, dopo aver toccato un massimo di 20,495 euro. Una boccata d’aria fresca dopo le difficoltà degli ultimi mesi che hanno coinvolto il comparto tech internazionale.
L’accordo tra Stm e Innoscience
Stm ha firmato un accordo con Innoscience, società cinese attiva nella manifattura di GaN su Si (nitruro di gallio su silicio) che prevede lo sviluppo e produzione di tecnologia GaN, Generative Adversarial Network, ovvero Reti Avversarie Generative).
L’intesa, spiega Stmicroelectronics in una nota, fa leva sui punti di forza di ciascuna società per ottimizzare per costruire il futuro dell’elettronica di potenza per data center di intelligenza artificiale, generazione e conservazione di energia rinnovabile e veicoli.
In base a quanto previsto, verranno realizzate iniziative di sviluppo congiunto circa la tecnologia di potenza GaN per far progredire il futuro promettente della potenza in GaN per elettronica di consumo, data center, automotive e sistemi di potenza industriale e molte altre applicazioni nei prossimi anni.
Inoltre, l’accordo consente a Innoscience di utilizzare la capacità manifatturiera di front-end di Stm, al di fuori della Cina per le proprie fette in GaN, mentre Stm, può sfruttare la capacità manifatturiera di front-end in Cina di Innoscience per le proprie fette in GaN.
“L’ambizione comune è per ciascuna società quella di espandere la propria offerta individuale in GaN con flessibilità e resilienza della filiera per disporre di tutto ciò che chiedono i clienti in una vasta gamma di applicazioni”, si legge in una nota.
“ST e Innoscience sono entrambi produttori integrati di dispositivi, e con questo accordo faremo leva su questo modello a beneficio dei nostri clienti nel mondo. Innanzitutto, ST farà accelerare la propria roadmap per la tecnologia di potenza in GaN a complemento della propria offerta in Silicio e in Carburo di Silicio. Inoltre, ST sarà in grado di capitalizzare un modello di manifattura flessibile per essere al servizio dei clienti nel mondo”, ha dichiarato Marco Cassis, presidente di Stmicroelectronics.
“La tecnologia GaN è fondamentale per migliorare l’elettronica, creando sistemi più piccoli e più efficienti che risparmiano elettricità, abbassano i costi e riducono le emissioni di CO2. Innoscience è stato un pioniere della produzione in volumi di tecnologia in GaN a 8 pollici ed ha spedito più di un miliardo di dispositivi GaN in diversi mercati. Siamo entusiasti di aderire ad una collaborazione strategica con ST. La collaborazione congiunta fra ST e Innoscience si espanderà ulteriormente e accelererà l’adozione di tecnologia GaN. Insieme, i team di Innoscience e ST svilupperanno le prossime generazioni di tecnologia GaN”, ha aggiunto Dr. Weiwei Luo, presidente e co-fondatore di Innoscience.